O mais recente nó 18A da Intel está fazendo ondas na indústria de semicondutores, superando os concorrentes N2 da TSMC e os nós SF2 da Samsung na classe de desempenho de 2nm.
O nó 18A da Intel alcançou uma pontuação de desempenho de 2,53, superando a pontuação do TSMC N2 de 2,27 e a pontuação de 2,19 da Samsung SF2. Isso posiciona a Intel como líder na categoria de desempenho de 2nm. O desempenho superior da Intel 18A é atribuído a seus recursos inovadores, incluindo o primeiro nó a incorporar uma rede de entrega de energia traseira (BSPDN).
O BSPDN aprimora significativamente o desempenho do nó, melhorando a eficiência do layout, a utilização de componentes, a resistência à interconexão e o desempenho da potência ISO. Especificamente, o BSPDN aumenta a eficiência do layout e a utilização de componentes em 5 a 10%, reduz a resistência à interconexão e aumenta o desempenho da potência da ISO em até 4%. Isso é alcançado através de uma queda significativa na resistência intrínseca em comparação com o roteamento tradicional de potência do front-end.
Em comparação com seu antecessor, a Intel 3, o processo 18A oferece uma melhoria de 15% no desempenho por watt e alcança um aumento de 30% na densidade do transistor. Esses avanços enfatizam o progresso da Intel na tecnologia de semicondutores, tornando seu nó 18a altamente competitivo.
O nó 18A da Intel apresenta o design do RibbonFet, que entrou na produção de riscos. De acordo com a Intel, esse estágio envolve a fabricação de volume de teste de estresse antes de aumentar o volume alto na segunda metade de 2025. Isso indica que a fabricação de alto volume deve seguir logo após, marcando um marco significativo para o nó.
O nó 18A também mostra melhorias significativas na escala de SRAM. As células SRAM de alto desempenho encolheram para 0,023 µm² e células de alta densidade para 0,021 µm², demonstrando melhorias substanciais de escala. Esses avanços refletem fatores de escala de 0,77 e 0,88, respectivamente, e desafiam suposições anteriores de que a escala de SRAM havia platô.
A inovadora abordagem “ao redor” da Intel aprimora ainda mais as capacidades do nó. Ao rotear os circuitos de potência de E/S, controle e decodificar, essa abordagem libera a área de células de bit de fontes de alimentação frontal, resultando em uma densidade de bits macro de 38,1 mbit/mm². Isso posiciona a Intel para rivalizar com o nó N2 do TSMC em termos de densidade.
O nó 18A está definido para aparecer nas CPUs do Lago Panther, que estão previstas para testes no final de 2025 e remessas no início de 2026. Essa implantação futura ressalta a prontidão do nó para integração nos processadores de próxima geração da Intel, promissores desempenho aprimorado e eficiência para futuras aplicações.
