IBM e Samsung se uniram para criar um novo design de semicondutor, eles podem ter criado uma nova maneira de empilhar transistores verticalmente em um chip.
Samsung e IBM revelam um novo design de chip com eficiência energética
Samsung e IBM anunciaram seu projeto conjunto no primeiro dia do IEDM 2021 e seguiram com um Comunicado de imprensa. As empresas afirmam ter feito novos avanços em suas pesquisas para criar um novo projeto de semicondutor.
As empresas estão trabalhando em um novo tipo de posicionamento do transistor. Os transistores são empilhados verticalmente no chip no novo design. Na geração atual de processadores, os transistores ficam planos na superfície do semicondutor. Assim, a eletricidade flui de um lado para o outro.
O novo design é denominado Transistor de efeito de campo de transporte vertical (VTFET). Os transistores são empilhados em um arranjo perpendicular no projeto VTFET para que a corrente elétrica possa fluir verticalmente.
Ambas as empresas destacaram os benefícios potenciais do novo design. Este método deve melhorar a eficiência energética do sistema por uma margem substancial.
“No geral, o novo design visa oferecer uma melhoria de duas vezes no desempenho ou uma redução de 85 por cento no uso de energia em comparação com alternativas finFET em escala.”
Mais importante ainda, com este novo design, a Samsung e a IBM pensam que “processos com uso intensivo de energia, como operações de criptominação e criptografia de dados, podem exigir muito menos energia e ter uma pegada de carbono menor”.
As empresas também fizeram referência à Lei de Moore no comunicado. A Lei de Moore é o princípio que estabelece que o número de transistores em um chip IC deve dobrar a cada dois anos. Como resultado, o desempenho melhora sem que o chip fique maior.
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No entanto, como observam os dois fabricantes, os engenheiros estão ficando sem espaço e a aplicação da Lei de Moore está se tornando mais difícil. Este novo design de chip pode estender a Lei de Moore para o futuro.
